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MRFE6VP6300HR3 MRFE6VP6300HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS ? PULSED
50
1
1000
02010
30
40
VDS, DRAIN--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Capacitance versus Drain--Source Voltage
C, CAPACITANCE (pF)
Ciss
100
10
Coss
Measured with
±30 mV(rms)ac @ 1 MHz
VGS
=0Vdc
Note:
Each side of device measured separately.
0.1
53
60
26
Pin, INPUT POWER (dBm) PULSED
Figure 5. Pulsed Output Power versus
Input Power
58
27 28 29 30 31 32 33
P
out
, OUTPUT POWER (dBm) PULSED
57
54
Actual
Ideal
VDD
=50Vdc,IDQ
= 100 mA, f = 230 MHz
Pulse Width = 100
μsec, 20% Duty Cycle
P1dB = 55.4 dBm
(344 W)
56
55
59
34
P3dB = 56.0 dBm (398 W)
P2dB = 55.8 dBm (380 W)
ηD
Gps
VDD
=50Vdc,IDQ
= 100 mA, f = 230 MHz
Pulse Width = 100
μsec, 20% Duty Cycle
29
20
20
90
100
26
70
50
30
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PULSED
Figure 6. Pulsed Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
η
D,
DRAIN EFFICIENCY (%)
24
22
600
23
28
40
60
80
25
27
19
26
0
23
22
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PULSED
Figure 7. Pulsed Power Gain versus
Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
50
21
350 400
VDD
=50Vdc,IDQ
= 100 mA, f = 230 MHz
Pulse Width = 100
μsec, 20% Duty Cycle
20
100 200 250 300150
VDD
=30V
50 V
24
25
28
27
29
35 V
40 V
45 V
20
90
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PULSED
Figure 8. Pulsed Drain Efficiency versus
Output Power
70
50 100 150 200 250 300 350
60
30
50
40
80
400
Figure 9. Pulsed Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PULSED
G
ps
, POWER GAIN (dB)
21
10
24
23
100 600
ηD
25_C
TC
=--30_C
85_C
Gps
VDD
=50Vdc,IDQ
= 100 mA, f = 230 MHz
28
Pulse Width = 100
μsec, 20% Duty Cycle
40
60
50
10
30
20
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
-- 3 0_C
70
25_C
85_C
VDD
=50Vdc,IDQ
= 100 mA, f = 230 MHz
Pulse Width = 100
μsec, 20% Duty Cycle
VDD
=30V
50 V
35 V
40 V
45 V
η
D,
DRAIN EFFICIENCY (%)
22
27
26
25
29
80
90
Crss
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